IGBT basyň
IGBT (IEGT) basyň
| TYPE | VDRM V | VRRM V | IT (AV)@ 80 ℃ A | ITGQM @ CS A / µF | ITSM @ 10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃ / W. | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | 0.027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0.50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | .81.8 | ≤0.85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0.58 | 125 | 0.011 |
Bellik:D- d bilenýod bölegi, A.-diod bölegi bolmazdan
Adatça, çeýe DC geçiriş ulgamynyň wyklýuçatelinde lehim kontakt IGBT modullary ulanyldy.Modul bukjasy bir taraplaýyn ýylylyk paýlanyşydyr.Enjamyň kuwwaty çäklidir we yzygiderli birikdirilmeli däl, duzly howada ömrüň pes bolmagy, titremäniň anti-şok ýa-da termiki ýadawlygy.
Täze görnüşli press-kontakt ýokary güýçli press-paket IGBT enjamy diňe bir lehimleme prosesinde boş ýer, lehim materialynyň ýylylyk ýadawlygy we bir taraply ýylylyk ýaýramagynyň pes netijeliligi bilen doly çözülmän, eýsem dürli komponentleriň arasyndaky ýylylyk garşylygyny hem aradan aýyrýar, ululygyny we agramyny azaltmak.IGBT enjamynyň iş netijeliligini we ygtybarlylygyny ep-esli ýokarlandyryň.Çeýe DC geçiriş ulgamynyň ýokary kuwwatly, ýokary woltly, ýokary ygtybarlylyk talaplaryny kanagatlandyrmak üçin gaty amatly.
Lehim kontakt görnüşini IGBT press-paket bilen çalyşmak hökmanydyr.
2010-njy ýyldan başlap, “Runau Electronics” täze görnüşli press-paket IGBT enjamyny ösdürmek we 2013-nji ýylda önümçilige üstünlik gazanmak üçin işlenip düzüldi. Bu çykyş milli kär derejesi bilen tassyklandy we iň ýokary üstünlik gazanyldy.
Indi 600A-dan 3000A aralygyndaky IGBT seriýaly press-paket öndürip we üpjün edip bileris, 1700V-den 6500V aralygynda VCES diapazony.Hytaýda öndürilen IGBT press-paketiniň Hytaýda çeýe DC geçiriji ulgamynda ulanylmagy üçin ajaýyp umyt bar we ýokary tizlikli elektrik otlusyndan soň Hytaýyň elektronika pudagynyň dünýä derejesindäki ýene bir daşy bolar.
Adaty reodeimiň gysgaça tanyşdyrylyşy:
1. Reodeim: IGBT CSG07E1700 basyň
●Gaplamakdan we basandan soň elektrik aýratynlyklary
● Tersineparallelbirikdirildiçalt dikeldiş diodysözüni jemledi
● Parametr ：
Bahasy （25 ℃）
a.Kollektor Emitter naprýa: eniýesi: VGES = 1700 （V）
b.Derwezäniň çykaryjy naprýa: eniýesi: VCES = ± 20 （V）
c.Kollektor akymy: IC = 800 （A） ICP = 1600 （A）
d.Kollektor güýjüniň ýaýramagy: PC = 4440 （W）
e.Işleýän çatryk temperaturasy: Tj = －20 ~ 125 ℃
f.Saklaýyş temperaturasy: Tstg = －40 ~ 125 ℃
Bellik: bahalandyrylan bahadan ýokary bolsa enjam zaýalanar
ElektrikChäsiýetnamalary, TC ＝ 125 ℃ th Rth (ýylylyk garşylygyçatrykýagdaý）goşulmaýar
a.Derwezäniň syzmagy akymy: IGES = ± 5 （μA）
b.Kollektor Emitter Häzirki ICES-i bloklaýar = 250 （mA）
c.Kollektor Emitter doýma naprýa: eniýesi: VCE (oturdyldy) = 6 (V)
d.Derwezebanyň çäklendiriji naprýa: eniýesi: VGE (th) = 10 (V)
e.Wagty açyň: Ton = 2,5μs
f.Wagt öçüriň: Toff = 3μs
2. Reodeim: IGBT CSG10F2500 basyň
●Gaplamakdan we basandan soň elektrik aýratynlyklary
● Tersineparallelbirikdirildiçalt dikeldiş diodysözüni jemledi
● Parametr ：
Bahasy （25 ℃）
a.Kollektor Emitter naprýa: eniýesi: VGES = 2500 （V）
b.Derwezäniň çykaryjy naprýa: eniýesi: VCES = ± 20 （V）
c.Kollektor akymy: IC = 600 （A） ICP = 2000 （A）
d.Kollektor güýjüniň ýaýramagy: PC = 4800 （W）
e.Işleýän çatryk temperaturasy: Tj = －40 ~ 125 ℃
f.Saklaýyş temperaturasy: Tstg = －40 ~ 125 ℃
Bellik: bahalandyrylan bahadan ýokary bolsa enjam zaýalanar
ElektrikChäsiýetnamalary, TC ＝ 125 ℃ th Rth (ýylylyk garşylygyçatrykýagdaý）goşulmaýar
a.Derwezäniň syzmagy akymy: IGES = ± 15 （μA）
b.Kollektor Emitter Häzirki ICES-i bloklaýar = 25 （mA）
c.Kollektor Emitter doýma naprýa: eniýesi: VCE (oturdyldy) = 3.2 (V)
d.Derwezäniň çykaryjy bosag naprýa: eniýesi: VGE (th) = 6.3 (V)
e.Wagty açyň: Ton = 3.2μs
f.Öçürmek wagty: Toff = 9.8μs
g.Diod Öňe naprýa .eniýe: VF = 3.2 V.
sag.Diodyň tersine dikeldiş wagty: Trr = 1,0 μs
3. Reodeim: IGBT CSG10F4500 basyň
●Gaplamakdan we basandan soň elektrik aýratynlyklary
● Tersineparallelbirikdirildiçalt dikeldiş diodysözüni jemledi
● Parametr ：
Bahasy （25 ℃）
a.Kollektor Emitter naprýa: eniýesi: VGES = 4500 （V）
b.Derwezäniň çykaryjy naprýa: eniýesi: VCES = ± 20 （V）
c.Kollektor akymy: IC = 600 （A） ICP = 2000 （A）
d.Kollektor güýjüniň ýaýramagy: PC = 7700 （W）
e.Işleýän çatryk temperaturasy: Tj = －40 ~ 125 ℃
f.Saklaýyş temperaturasy: Tstg = －40 ~ 125 ℃
Bellik: bahalandyrylan bahadan ýokary bolsa enjam zaýalanar
ElektrikChäsiýetnamalary, TC ＝ 125 ℃ th Rth (ýylylyk garşylygyçatrykýagdaý）goşulmaýar
a.Derwezäniň syzmagy akymy: IGES = ± 15 （μA）
b.Kollektor Emitter Häzirki ICES-i bloklaýar = 50 （mA）
c.Kollektor Emitter doýma naprýa: eniýesi: VCE (oturdyldy) = 3.9 (V)
d.Derwezäniň çykaryjy bosag naprýa: eniýesi: VGE (th) = 5.2 (V)
e.Wagty açyň: Ton = 5.5μs
f.Öçürmek wagty: Toff = 5.5μs
g.Diod Öňe naprýa .eniýe: VF = 3.8 V.
sag.Diodyň tersine dikeldiş wagty: Trr = 2.0 μs
Bellik:Press-paket IGBT uzak möhletli ýokary mehaniki ygtybarlylygy, zeper ýetmegine ýokary garşylyk we metbugat birikdiriş gurluşynyň aýratynlyklary, seriýa enjamynda işlemek üçin amatly we adaty GTO tiristory bilen deňeşdirilende IGBT naprýa -eniýe usulydyr .Şonuň üçin işlemek aňsat, howpsuz we giň iş aralygy.