Faza gözegçilik tiristory (garyndy görnüşi)

Düşündiriş:

Silikon dolandyryş düzediji (SCR) diýlip hem atlandyrylýan Tiristor, üç PN gurluşyndan ybarat ýokary güýçli ýarymgeçiriji enjamdyr.Işleýiş nukdaýnazaryndan tiristor diňe bir ugurly geçirijilige eýe bolman, eýsem kremniniň düzediji elementinden has gymmatly gözegçilik edip bilýär, diňe iki geçiriji we döwletden daşgary, uly güýji kiçi güýji, ýüzlerçe güýç güýçlendirmek ýa-da güýçlendirmek üçin müňlerçe gezek.Reaksiýa gaty çalt, mikro sekuntlarda açylýar we öçürilýär.Aragatnaşyksyz işlemek, uçgun ýok, ses ýok, ýokary netijelilik we arzan baha.Şonuň üçin esasanam ýokary energiýa üpjünçiligi ulgamynda tiristor düzediji zynjyrda, statiki aýlaw wyklýuçatelinde, kontaktsyz çykyş wyklýuçatelinde we beýleki zynjyrlarda giňden ulanylýar.

RUNAU Electronics-iň tiristor önümçilik standarty we gaýtadan işleýiş tehnologiýasy ABŞ-dan 1980-nji ýyldan bäri Hytaýda tiristor öndürmekde öňdebaryjy hökmünde RUNAU-nyň tehniki topary 30 ýyldan gowrak wagt bäri öňdebaryjy bilimleri we köp önümçilik tejribesini gazandy.Adaty önümçilik prosesi esasynda, RUNAU Electronics-iň zehin tehnikleri Europeanewropa önümleriniň artykmaç aýratynlyklary bilen tiristor öndürmekde iň häzirki zaman tehnologiýasyny ösdürdiler, hili we öndürijiligi ep-esli ýokarlanýar, güýç elektronikasyny ulanmakda gazanylan has uly ýeňişler meýdanlary we hyzmatdaşlar üçin has köp baha döredildi.

Giriş:

1. Çip

RUNAU Electronics tarapyndan öndürilen tiristor çipi, sintirlenen garyndy tehnologiýasydyr.Silikon we molibden wafli ýokary vakuum we ýokary temperatura gurşawynda arassa alýumin (99,999%) bilen garyndy üçin süzüldi.Sinter häsiýetleriniň ulanylmagy tiristoryň hiline täsir edýän esasy faktor.Tiristoryň ygtybarly we ýokary netijeli geçiriş işini üpjün etmek üçin, RUNAU Electronics-iň garyndy birleşmesiniň çuňlugyny, ýerüsti tekizligini, garyndy boşlugyny, şeýle hem doly diffuziýa ussatlygyny, merkezi derwezäni, halka tegelek nagşyny dolandyrmakdan başga-da, nou-hau ulanyldy. ýokary hilli öndürijiligini üpjün ediň.

2. Enkapsulýasiýa

Molibden wafli we daşarky paketiň tekizligine we parallelligine berk gözegçilik etmek bilen, çip we molibden wafli daşarky paket bilen berk we doly birleşdiriler.Munuň özi artýan tok we ýokary gysga tok toguň garşylygyny optimallaşdyrar.Elektron bugarmak tehnologiýasyny ölçemek, kremniniň wafli ýüzünde galyň alýuminiý film döretmek üçin ulanyldy we molibdeniň üstünde örtülen ruten gatlagy ýylylyk ýadawlygyna garşylygy ep-esli ýokarlandyrar, tiristoryň iş möhleti ep-esli ýokarlanar.

Tehniki spesifikasiýa

1. Faza gözegçilik edilýän tiristor, RUNAU Electronics tarapyndan öndürilen garyndy görnüşli çip, I diapazony_TAV300A-dan 6000A we V._DRM/V_RRM800V-den 4400V çenli.
2. I_GT, V._GTMenem_Hsynag bahalary 25 at bolýar, başgaça aýdylmasa, beýleki parametrleriň hemmesi T astyndaky synag bahalarydyr_jm;
3. I²t = I.²F SM × tw / 2, tw = Sinusoidal ýarym tolkun toguň esasy ini.50Hz, I.²t = 0.005I²FSM (A.²S);
4. 60Hz: I._FSM(8.3ms) = I._FSM(10ms) × 1.066, T._j=T_j;Men²t (8.3ms) = I.²t (10ms) × 0.943, T._j=T_jm

Parametr: